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Trench MOS

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同方微电子
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产品详情

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍。

http://www.tsinghuaicwx.com

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